TrendForce集邦咨询以明年各季度的供过于求比例（以下称：sufficiency ratio）作为预测基础，预期DRAM平均销售单价将年减15%，而价格下滑幅度在上半年较为明显；下半年起将受惠于DDR5的渗透率提升与旺季需求效应带动，均价跌幅将收敛，不排除有持平或涨价的可能性。

高层数产品竞争者众，NAND Flash明年产值再增7.4%

NAND Flash方面， 2022年供给位元年增长率约31.8%；而需求位元年成长幅度为30.8%，故明年NAND Flash价格也将受供过于求影响而有所下滑。此外，由于NAND Flash属完全竞争市场，均价下滑的幅度较DRAM更加明显，然NAND Flash在层数结构的堆栈持续推进，故在供给位元成长仍维持在30%以上的情况下，预估2022年NAND Flash总产值仍有成长空间，达741.9亿美元、年增7.4%。

同样以明年各季度的sufficiency ratio作为预测基础，推估2022年平均销售单价将年减18.0%，而价格下滑幅度也是在上半年度较为明显，下半年起将受惠于旺季需求效应带动，均价跌幅较为收敛，或有单季价格持平的可能性。

整体而言，DRAM与NAND Flash历年的总产值变化，由于两者竞争型态的不同，DRAM基本上在产能扩张上较有规律，故长期均价的波动性较小，同时20nm以下制程微缩已经逐渐达到物理极限，使得年度位元成长增幅有限；而NAND Flash在产能扩张的规划则较不稳定，再加上产品的层数仍能持续提升，故长期均价的波动性较大，进而呈现DRAM产值成长幅度不及NAND Flash的态势，但获利表现方面则反之。

资本支出持续拉高，产值若无法跟进成长，恐压抑厂商获利能力

从资本支出来看，DRAM方面，近年来其整体资本支出对营收占比（以下称：CAPEX to sales ratio）逐渐升高有两大原因，首先，由于DRAM的制程微缩已经逐渐面临物理极限，在20nm制程以后，除了美光（Micron）1α nm仍造就有近30%的单晶圆位元成长外，其他从1Xnm转至1Ynm、或者1Ynm转至1Znm制程，成长已经收敛至15%以内。2022年三星（Samsung）与SK海力士（SK hynix）的最先进制程将正式导入关键机台EUV，而该机台的生产交期长且造价高昂，使得三大原厂纷纷提前提拨大笔的资本支出，以因应EUV的前置订单。

其次，由于DRAM已形成寡占市场型态，即便偶尔出现均价下跌周期，也因为供应商的生产秩序形成，销售均价难以跌破总生产成本（fully loaded cost），故DRAM原厂能够逐渐累积来自该产品的生产获利。由于制程转进不易，除三大原厂以外，市占较小的南亚科（Nanya Tech）、华邦（Winbond）等厂商皆有实际扩产计划，成为DRAM 市场CAPEX to sales ratio持续升高的另一大原因。

NAND Flash方面，其CAPEX to sales ratio自2017年转进3D NAND技术以来即有显著提升，该年之前平均达25~30%，目前提升到平均近40%。主因是随着3D堆栈层数的上升，除了拉长产品生产所需时间，对于蚀刻难度、精准度的要求也一并提升，主流层数正朝向1YY层世代迈进，供应商同时开始研发2XX层产品技术，对于单次蚀刻深度的要求不断增加，显示出该产业所需的资本支出总额随着层数提升、产值增加而持续成长。

TrendForce集邦咨询表示，由于NAND Flash堆栈层数的技术推进，未来供应商仍将持续追求推进更高层数，以降低每GB的生产成本。因此，预期该产业的资本支出仍有增长空间，且CAPEX to sales ratio将维持在接近40%或以上。值得注意的是，若未来数年产值无法跟进支出的成长速度，恐将造成CAPEX to sales ratio过度上升，进而压抑供应商获利能力。

全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减，但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬，因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金，QoQ近5%。同时，前两大DRAM供货商的获利能力较上季皆有提升，其中获利差异点取决于各DRAM厂标准型内存的供给多寡。

TrendForce研究协理吴雅婷表示，就4Q13合约价格走势做观察，由于九月SK海力士受祝融波及而影响当下出货，DRAM 4GB合约均价最高来到34美元价位，较火灾发生前上涨约二成，供货不足下主要PC OEM厂纷纷转向三星及美光要求紧急供货，亦是这波价格上涨受惠最多的厂商。其中三星受惠于25奈米制程开始放量，供货最充足，所以盘据成交价的高价部位，美光次之，SK海力士为避免客户流失，将合约价格放低，为这波涨价潮当中受惠最小的供货商。2013年DRAM总产值总计达到34.4亿美元，年成长约三成。

从全球DRAM厂自有品牌内存市占比例来观察，三星半导体与SK海力士半导体各为39%与24%，两者差距再进一步拉大。三星维持原先策略，标准型内存比重进一步提升，并意图持续扩大行动式内存对外采购比重；由于三星的25奈米已经顺利量产出货，相较于SK海力士的29奈米以及美光的30奈米，显然成本结构领先同业水平，在2014年平均销售单价可能缓跌的前提下，三星的营业利益仍旧可以维持20%水位，无疑为产业获利最高的厂商。SK海力士受无锡厂大火影响，其市占由3Q13的28.5%微幅下降至23.8%，营业利益也约略减少约5%。然而该公司倾全力恢复产出，预计产能流失的冲击可望在今年首季全面回复。

在本次第四季营收市占报告中，TrendForce第二次将美光与日商尔必达合并计算，综合市占为28.7%，正式超越SK海力士成为排名第二。除此之外，同时受惠于价格上扬与成本下降两项因素，营业利益的成长超过10%，为产业之冠。美光集团2014年目标为逐渐导入尔必达技术为主的20奈米，预计正式量产时程约落在年末，若站在标准型内存的角度观察，新美光集团的产出比例将占总产业的三分之一强，对该市场的影响力将大幅增加。

台系厂部分，南科也积极转进30nm制程，其投片量已来到总产能近八成，即使第四季停止从华亚科取得晶圆，在营收上仍有9.5%的季成长。力晶在DRAM营收上仅有6%的成长，除了力晶已转型为代工业务为主外，去年下半年启动的P3厂DRAM业务，也是属于代工性质，不受DRAM价格波动影响，亦无法带动DRAM营收继续往上攀升。华邦则是受到火灾转单效应与传统旺季需求，营收成长约9.7%，其中利基型内存的成长约为11%，行动式内存也有5%的成长，今年华邦除了提升投片量至38K外，提升46nm制程转进比重亦是今年的重点，生产成本降低将有助第一季的获利表现。

从市场面来观察，TrendForce认为无锡厂的复工状况为牵动未来价格走势的最主要关键；由于每年首季都是需求淡季，加上产出增加 (三星的25奈米、美光的30奈米以及SK海力士无锡厂复工)，TrendForce仍维持原先的预估，价格将呈现缓跌态势，而跌幅将随着旺季来临而趋缓。后续获利能力的持盈保泰将有赖于制程转进，而产业供给面将有赖各DRAM厂商共同维持，不贸然进行扩厂计划；在以上前提成立之下，2014年的DRAM总产值可望进一步提升，并在后20nm时代来临之前为各家带来稳定的获利。